GA20JT12-263
GeneSiC Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | GA20JT12-263 |
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Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | TRANS SJT 1200V 45A D2PAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | - |
Vgs (Max) | - |
Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-263-7 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 20A |
Verlustleistung (max) | 282W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3091 pF @ 800 V |
Typ FET | - |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 45A (Tc) |
Grundproduktnummer | GA20JT12 |
GA20JT12-263 Einzelheiten PDF [English] | GA20JT12-263 PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() GA20JT12-263GeneSiC Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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